Começa a corrida pela memória ReRAM

Memória usa resistores para registrar dados até 10 mil vezes mais rápido do que as memórias NAND. Deve ser produzida em massa em 2013 

Resistores de memória serão comuns em 2013
Imagine baixar um filme em HD em apenas alguns segundos. Esse é o cenário que a empresa japonesa Elpida Memory Inc. em parceria com a Sharp prevê para os próximos três anos. Até lá espera-se que o novo chip de memória ReRAM (Resistive Random Acces Memory) estará barato o suficiente para se espalhar por celulares e outros eletrônicos. 

O chip é capaz de registrar dados 10 mil vezes mais rápido do que as atuais memórias flash NAND.
Segundo o jornal The Nikkey, além de rápida, a memória também pode reduzir o consumo de energia a “virtualmente zero” em modo standby. 
Para atingir o objetivo de produzir o chip em massa até 2013, se juntarão à Elpidia e à Sharp o Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia Industrial, a Universidade de Tóquio e outros fabricantes de chips. 

Correndo por fora, a Toshiba está trabalhando em um novo tipo de memória flash com estrutura em camadas enquanto a Samsung está desenvolvendo chips ReRam, PRAM (Phase Change Random Acces Memory) e RAM Magnetoresistiva (ou MRAM).

Sem dúvida, a competição é uma boa notícia para nós mortais que dependemos cada vez mais de memórias eficientes, baratas e de baixo consumo.
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